Urteil des BPatG vom 04.12.2008

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BPatG 154
08.05
BUNDESPATENTGERICHT
21 W (pat) 32/06
_______________
(Aktenzeichen)
An Verkündungs Statt
zugestellt am
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
betreffend die Patentanmeldung 100 43 896.2-54
hat der 21. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf-
grund der mündlichen Verhandlung vom 4. Dezember 2008 unter Mitwirkung des
Vorsitzenden Richters Dipl.-Phys. Dr. Winterfeldt sowie der Richter Baumgärtner,
Dipl.-Phys. Dr. Morawek und Dipl.-Phys. Dr. Müller
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beschlossen:
1. Der Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 S des Deut-
schen Patent- und Markenamtes vom 21. Februar 2006 wird
aufgehoben.
2. Das Verfahren wird auf der Basis des in der mündlichen Ver-
handlung überreichten Patentanspruchs 1, an den sich die Un-
teransprüche 2, 4 und 9 bis 13 gemäß Offenlegungsschrift in
angepasster Form anschließen, zur weiteren Bearbeitung an
das Deutsche Patent- und Markenamt zurückverwiesen.
G r ü n d e
I
Die Patentanmeldung wurde am 6. September 2000 unter der Bezeichnung "Laser
mit durch Halbleiterelement angeregtem Oberflächenemissions-Halbleiter und un-
terdrückten Schwingungsmoden höherer Ordnung" beim Deutschen Patent- und
Markenamt eingereicht. Die Offenlegung erfolgte am 26. April 2001.
Die Prüfungsstelle für Klasse H 01 S hat die Anmeldung mit Beschluss vom
21. Februar 2006 zurückgewiesen, da der Gegenstand des Anspruchs 1 nicht neu
sei.
Gegen diesen Beschluss richtet sich die Beschwerde der Anmelderin.
Die Anmelderin verfolgt ihre Patentanmeldung auf der Grundlage eines in der
mündlichen Verhandlung neu formulierten Patentanspruchs 1 weiter.
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Dieser Patentanspruch 1 lautet (Merkmalsgliederung hinzugefügt, ohne Bezugs-
zeichen):
M1 Laservorrichtung, umfassend:
M2 ein Halbleiterlaserelement, welches erstes Laserlicht mit einer
ersten Wellenlänge emittiert;
M3 ein oberflächenemittierendes Halbleiterelement, welches von
dem ersten Laserlicht angeregt wird, welches zweites Laser-
licht mit einer zweiten Wellenlänge, die länger ist als die erste
Wellenlänge, emittiert,
M4 und welches eine erste aktive Schicht und
M5 einen ersten Spiegel auf einer Seite der ersten aktiven Schicht
aufweist;
M6 und einen zweiten Spiegel, der außerhalb des oberflächen-
emittierenden Halbleiterelements derart angeordnet ist, dass
der erste und der zweite Spiegel einen Resonator bilden, in
welchem das zweite Laserlicht schwingt;
dadurch gekennzeichnet, dass
M7 das oberflächenemittierende Halbleiterelement an seiner
Lichtaustritts-Stirnfläche einen Ti-Film mit Nadelloch zum
Steuern einer räumlichen Mode des zweiten Laserlichts auf-
weist.
Im Verfahren sind folgende Druckschriften:
D1 WO 00/10234 A1 (nachveröffentlicht),
D2 M. Kuznetsov et al., IEEE Journal of selected topics in quan-
tum electronics, Vol. 5, No. 3, May/June 1999, p. 561-573
D3 M. Kuznetsov et al., IEEE photonics technology letters, Vol. 9.
No. 8, August 1997, p. 1063-1065
- 4 -
D4 D. Vakhshoori et al., Electronics Letters, 27th May 1999,
Vol. 35, No. 11, p. 900-901
D5 B. Demeulenaere et al., IEEE Journal of quantum electronics,
Vol. 35, No. 3, March 1999, p. 358-366
D6 K. Iga, Electronics and communications in Japan, Part 2,
Vol. 82, No. 10, 1999, p. 70-82.
Die Anmelderin beantragt,
den Beschluss der Prüfungsstelle für Klasse H 01 S des Deut-
schen Patent- und Markenamtes vom 21. Februar 2006 aufzuhe-
ben und
die Anmeldung auf der Basis des in der mündlichen Verhandlung
überreichten Patentanspruchs 1, an den sich die Unteransprü-
che 2, 4 und 9 bis 13 gemäß Offenlegungsschrift in angepasster
Form anschließen, an die Prüfungsstelle zurückzuverweisen.
Wegen weiterer Einzelheiten wird auf den Akteninhalt Bezug genommen.
II
Die Beschwerde ist zulässig, insbesondere ist sie statthaft sowie form- und fristge-
recht eingelegt, § 73 Abs. 1, Abs. 2 PatG. Die Beschwerde hat auch insoweit Er-
folg, als sie zur Aufhebung des Beschlusses und zur Zurückverweisung an das
Patentamt gemäß dem neuen Patentanspruch 1 führt; § 79 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1
PatG.
Der neue Patentanspruch 1 ist zulässig, denn er ist in den am Anmeldetag einge-
reichten Unterlagen offenbart. Die Merkmale im Anspruch 1 ergeben sich insbe-
sondere aus den ursprünglichen Ansprüchen 1 und 3 und der Beschreibung, siehe
Spalte 12, Zeilen 60 bis 63 der Offenlegungsschrift.
- 5 -
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine zuverlässige Laservorrichtung un-
ter Verwendung eines Halbleiter-Laserelements zu schaffen, die im Grundmodus
mit hoher Ausgangsleistung schwingt und eine Hochgeschwindigkeitsmodulation
des abgegebenen Laserlichts ermöglicht (siehe OS, Spalte 2, Zeilen 29 bis 33).
Zuständiger Fachmann auf dem Gebiet der Halbleiter-Laser ist ein Dipl.-Physiker
aus dem Fachgebiet der Optik und Halbleiterphysik.
Der Gegenstand des neuen Patentanspruchs 1 ist neu und beruht unter Berück-
sichtigung des bisher im Verfahren befindlichen Standes der Technik auf einer er-
finderischen Tätigkeit.
Aus der Druckschrift D1 ist eine Laservorrichtung gemäß den Merkmalen M1 bis
M6 bekannt, die jedoch auf dem Halbleiterelement eine Apertur aus GaAs (siehe
Seite 15, Zeilen 2 bis 22 und Fig. 2, Bezugszeichen 40) zur Modensteuerung und
somit keinen Ti-Film mit Nadelloch gemäß Merkmalsgruppe M7 aufweist.
Der Gegenstand des Patentanspruchs 1 ist somit neu gegenüber der Druck-
schrift D1. Bei der Beurteilung der erfinderischen Tätigkeit ist die D1 als ältere An-
meldung gemäß § 3 Abs. 2 Nr. 3 PatG nicht zu berücksichtigen.
Aus dem Stand der Technik sind als Halbleiterlaser insbesondere sogenannte
VCSEL´s (vertical-cavity surface-emitting laser) und VECSEL´s (vertical-external-
cavity surface-emitting laser) bekannt (siehe D2, Absatz "Introduction"). VECSEL´s
werden optisch gepumpt und der zweite (externe) Spiegel ist außerhalb des La-
serlichtes emittierenden Halbleiterelements angeordnet. Die Laservorrichtung
nach Patentanspruch 1 entspricht demnach diesem Lasertyp.
Die Druckschriften D2, D3 und D4 befassen sich mit VECSEL´s. Dabei wird ge-
mäß Druckschrift D2 und D3 der Transversalmode des Lasers über den externen
Spiegel und die Länge des Resonators eingestellt (siehe D2, Seite 562, lin-
- 6 -
ke Spalte, Absatz "OPS VECSEL´s" und Seite 570, rechte Spalte, Zeilen 9 bis 12
und D3, Seite 1065, linke Spalte, die letzten 4 Zeilen).
Bei der Druckschrift D4 wird lediglich offenbart, dass die Spiegelapertur des exter-
nen Spiegels den Zerstreuungsverlust (diffraction loss) des Grundmode TEM
00
mi-
nimiert (siehe Seite 900, rechte Spalte, Absatz "Device structure and operation al
principle". Zur Sicherstellung des Grundmodes bei einem einstellbaren (tunable)
Laser werden in dieser Druckschrift verschiedene Maßnahmen offenbart, z. B. das
optische Pumpen (optical pumping) und eine entsprechende Einstellung des Ein-
gangslaserflecks (input pump spot size).
Die Verwendung einer Ti-Blende auf der Lichtaustritts-Stirnfläche des Halbleiter-
elements ist aus diesen Druckschriften somit dem Fachmann weder bekannt noch
nahe gelegt.
Die Druckschriften D5 und D6 betreffen VCSEL´s. Bei diesen Halbleiterlasern wird
elektrisch gepumpt, d. h. die Pumpleistung wird elektrisch über außerhalb der als
Resonatorspiegel dienenden Halbleiterschichten angebrachte Elektroden zuge-
führt. Eine Elektrode ist dabei mit einem Austrittsloch für das Laserlicht versehen
(siehe D6, Fig. 4a). Diese Elektrode sitzt demnach außerhalb des durch die Spie-
gel definierten Resonators und unterscheidet sich daher von der in Merkmalsgrup-
pe M7 beanspruchten Blende sowohl in der Position der Anordnung in dem Laser,
der Funktion als auch im Material, da in Druckschrift D6 lediglich Au/Zn/Au und
AuGe/Au offenbart ist (siehe Fig. 4a).
Diese Halbleiterlaser besitzen eine Oxid-Apertur (oxide aperture) als Stromfenster
(current window), um die aktive Region des Lasers effektiver pumpen zu können
(siehe D5, Seite 358, linke Spalte, Absatz "Introduction" und Fig. 1). Hinsichtlich
einer Modenbeeinflussung werden lediglich positive Auswirkungen auf die Moden-
stabilität erwähnt (siehe D5, a. a. O). Weitere Möglichkeiten zur Steuerung der
Moden werden in diesen Druckschriften nicht erwähnt. Die nicht-metallische Oxid-
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Blende zum Stromeinschluss bei den elektrischen VCSEL´s (siehe auch D6, Sei-
te 75, rechte Spalte, die letzten 3 Zeilen) kann dem Fachmann somit keine Hinwei-
se auf die Verwendung von metallischen Ti-Blenden zur Modensteuerung bei op-
tisch gepumpten VECSEL´s liefern.
Somit lässt sich mit dem bisher in Betracht gezogenen Stand der Technik eine Zu-
rückweisung der Anmeldung nicht begründen.
Das Verfahren ist jedoch noch nicht zur Entscheidung reif und die Anmeldung mit
dem neuen Anspruch 1 zur weiteren Prüfung an das Patentamt zurückzuverwei-
sen, da die Patentfähigkeit des neuen Anspruchs 1 noch nicht ausreichend geprüft
worden ist. § 79 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 PatG bestimmt, dass das Patentgericht die
angefochtene Entscheidung aufheben kann, ohne in der Sache selbst zu entschei-
den, wenn das Patentamt noch nicht in der Sache selbst entschieden hat. Dies ist
auch dann der Fall, wenn - wie vorliegend - die Gründe, die der angefochtenen
Entscheidung zugrunde liegen, entfallen sind und somit eine neue Sachprüfung
erforderlich ist. Bei der Anmeldung waren die Merkmale M7 des neuen Patentan-
spruchs 1 im ursprünglichen Patentanspruch 3 und in der Beschreibung enthalten,
zu denen im Patentamt noch nicht recherchiert wurde.
Dr. Winterfeldt
Baumgärtner
Dr. Morawek
Dr. Müller