Urteil des BPatG vom 02.08.2018
Urteil vom 02.08.2018
ECLI:DE:BPatG:2018:020818B23Wpat39.16.0
BUNDESPATENTGERICHT
23 W (pat) 39/16
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
2. August 2018
…
B E S C H L U S S
In der Beschwerdesache
…
betreffend die Patentanmeldung 11 2010 006 019.3
hat der 23. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 2. August 2018 unter Mitwirkung des
Vorsitzenden Richters Dr. Strößner sowie der Richter Dr. Friedrich, Dr. Zebisch
und Dr. Himmelmann
- 2 -
beschlossen:
Die Beschwerde wird zurückgewiesen.
G r ü n d e
I.
1.
und der
Bezeichnung „Verfahren zur Herstellung einer Passivierungsschicht und
eines
Matrixsubstrats
für
einen
Dünnschichttransistor“
wurde
am
13. Dezember 2010 unter Inanspruchnahme der chinesischen Priorität CN
201010557575.5 vom 23. November 2010 international angemeldet. Die Anmel-
dung wurde am 31. Mai 2012 mit der WO 2012/068 752 A1 offengelegt. Am
22. Mai 2013 wurde per Fax die deutsche nationale Phase eingeleitet und am Tag
darauf wurden Übersetzungen der ursprünglichen Unterlagen eingereicht, welche
am 22. August 2013 mit der DE 11 2010 006 019 T5 veröffentlicht wurden. Gleich-
zeitig mit der Einleitung der deutschen nationalen Phase wurde Prüfungsantrag
gestellt.
2.
der Technik gemäß den folgenden vorveröffentlichten Druckschriften verwiesen:
D1 JP 3-120 822 A;
D2 US 2009/0 159 884 A1;
D3 US 6 137 156 A
und
D4 US 2008/0 087 960 A1.
Sie hat in einem Prüfungsbescheid vom 27. Mai 2015 einige der in den Ansprü-
chen verwendeten Begriffe bemängelt und ausgeführt, dass die Verfahren der
- 3 -
selbständigen Ansprüche auf keiner erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns be-
ruhten. Dies gelte auch für die durch die Unteransprüche eingeschränkten Verfah-
ren.
Die Anmelderin hat dem in einer Erwiderung vom 1. Oktober 2015 widersprochen
und mit dieser Erwiderung einen neuen Satz Patentansprüche eingereicht, zu dem
die Prüfungsstelle mit Schriftsatz vom 5. Oktober 2015 eine Rückfrage zur Besei-
tigung einer Unklarheit gestellt hat. Diese Rückfrage hat die Anmelderin mit einer
weiteren Erwiderung vom 30. November 2015 und dem Einreichen eines neuen
Anspruchssatzes beantwortet. Ein Antrag auf eine Anhörung wurde nicht gestellt.
In der Folge hat die Prüfungsstelle die Anmeldung mit Beschluss vom
22. Juni 2016 zurückgewiesen, da das Verfahren des selbständigen Anspruchs 2
gegenüber der Zusammenschau der Druckschriften D2 und D4 auf keiner erfinde-
rischen Tätigkeit des Fachmanns beruhe. Es könne dahingestellt bleiben, ob noch
weitere Patentierungshindernisse vorlägen.
3.
die Anmelderin mit Schriftsatz vom 25. Juli 2016, am Tag darauf im Deutschen
Patent- und Markenamt über Fax eingegangen, Beschwerde eingelegt, die sie mit
Schriftsatz vom 16. August 2016 begründet hat. Mit dieser am Tag darauf im
Deutschen Patent- und Markenamt eingegangenen Beschwerdebegründung hat
sie einen neuen Satz Patentansprüche mit Ansprüchen 1 bis 5, die dem weiteren
Verfahren zugrunde gelegt werden sollen, und die Dokumente
D5 Wikipedia-
Artikel „Plasma (Physik)“ vom 3. August 2016 und
D6 Wikipedia-
Artikel „Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabschei-
dung“ vom 3. August 2016
- 4 -
eingereicht. Die Beschwerdebegründung richtet sich in erster Linie an die Prü-
fungsstelle, da in ihr um Abhilfe, auch um kassatorische, ersucht wird, und eine
mündliche Anhörung vor der Prüfungsstelle beantragt wird.
4.
Anmelderin mit Terminsladung vom 19. Juni 2018, dem Vertreter der Anmelderin
am 21. Juni 2018 zugestellt, ordnungsgemäß geladen wurde, erschien seitens der
Anmelderin niemand. In der Folge bleibt der mit der Beschwerdebegründung ge-
stellte Antrag damit weiterhin gültig. Somit hat die Anmelderin sinngemäß bean-
tragt:
Ein Patent zu erteilen mit der Bezeichnung „Verfahren zur
Herstellung einer Passivierungsschicht und eines Matrixsubstrats
für
einen
Dünnschichttransistor“,
dem
Anmeldetag
13. Dezember 2010
unter
Inanspruchnahme
der
Priorität
CN 201010557575.5 vom 23. November 2010 auf der Grundlage
-
Patentansprüche 1 bis 5, eingegangen im Deutschen Patent-
und Markenamt am 17. August 2016;
-
10 Beschreibungsseiten (Seiten 1 bis 10),
-
6 Blatt Zeichnungen mit Figuren 1 bis 9, jeweils eingegangen
im Deutschen Patent- und Markenamt am 23. Mai 2013.
Der mit der Beschwerdebegründung vom 16. August 2016 eingereichte selbstän-
dige Anspruch 2 lautet mit bei unverändertem Wortlaut eingefügter Gliederung:
- 5 -
„2. Verfahren
2.1 zur Herstellung eines Dünnschichttransistor-Matrixsubstrats,
charakterisiert dadurch, dass das Verfahren folgende
Schritte umfasst:
2.2 Bilden einer Vielzahl von Gateelektroden auf einem transpa-
renten Substrat;
2.3 Bilden einer Vielzahl von Sourceelektroden und einer Viel-
zahl von Drainelektroden auf den Gateelektroden, wobei eine
Vielzahl von Kanälen zwischen den Sourceelektroden und
den Drainelektroden gebildet werden;
2.4 Platzierung
des
transparenten
Substrates
in
eine
Vakuumprozesskammer;
2.5 Einleiten von Ammoniakgas und Stickstoffgas in die
Vakuumprozesskammer;
2.6 Anlegen einer Spannung zwischen zwei Elektroden, welche
in der Vakuumprozesskammer angeordnet sind, um Plasma
zu bilden und Wasserdampf zu entfernen;
2.7 Bilden einer Passivierungsschicht auf den Kanälen, den
Sourceelektroden und den Drainelektroden; und
2.8 Bilden einer Pixelelektrodenschicht auf der Passivierungs-
schicht, wobei die Pixelelektrodenschicht mit den Drainelekt-
roden elektrisch verbunden ist;
2.9 wobei bevor Ammoniakgas und Stickstoffgas hinzugegeben
werden oder während Ammoniakgas und Stickstoffgas hin-
zugegeben werden, Wasserstoffgas in die Vakuumprozess-
kammer eingeleitet wird und eine Spannung zwischen den
Elektroden angelegt wird um Plasma zu formen“
Hinsichtlich des Anspruchs 1 und der auf Anspruch 2 rückbezogenen Unteran-
sprüche 3 bis 5 sowie der weiteren Unterlagen und Einzelheiten wird auf den
Akteninhalt verwiesen.
- 6 -
II.
Die form- und fristgerecht erhobene Beschwerde der Anmelderin ist zulässig, er-
weist sich jedoch nach dem Ergebnis der mündlichen Verhandlung vom
2. August 2018 als nicht begründet, weil das Verfahren des geltenden An-
spruchs 2 auf keiner erfinderischen Tätigkeit des Fachmanns beruht und demnach
nicht patentfähig ist (§ 1 Abs. 1 i. V. m § 4 PatG).
1.
schicht und eines Matrixsubstrats für einen Dünnschichttransistor (thin film tran-
sistor; TFT), insbesondere auf dem Gebiet der Flüssigkristallanzeigetechnologie
().
Nach den Ausführungen in der Beschreibung der vorliegenden Anmeldung ist die
Verwendung von Flüssigkeitskristallanzeigen (Liquid crystal displays; LCDs) in
elektrischen Produkten weit verbreitet. Zum Anmeldezeitpunkt waren die meisten
LCDs solche mit Hintergrundbeleuchtung, die ein Flüssigkristall-Panel und ein
sog. Backlight-Modul umfassen. Im Allgemeinen umfasst das Flüssigkristall-Panel
ein Farbfilter(CF)-Substrat und ein TFT-Matrixsubstrat (TFT array substrate). Das
CF-Substrat enthält eine Vielzahl von Farbfiltern und üblicherweise eine Elektrode.
Das TFT-Matrixsubstrat enthält eine Vielzahl von parallelen Zeilen, eine Vielzahl
von parallelen Datenleitungen, eine Vielzahl von TFTs und eine Vielzahl von Pi-
xelelektroden. Die Zeilen sind jeweils senkrecht zu den Datenleitungen. Jeweils
zwei benachbarte Zeilen und zwei benachbarte Datenleitungen kreuzen sich und
definieren so einen Pixelbereich (Bildpunkt).
Bei einem Verfahren zur Herstellung des TFT-Matrixsubstrats ist es notwendig,
eine Passivierungsschicht auf den TFTs zu bilden. Diese Passivierungsschicht
wird durch eine plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (plasma-
enhanced chemical vapour deposition, PECVD) abgeschieden, wofür das TFT-
- 7 -
Matrixsubstrat in eine Vakuumprozesskammer einer PECVD-Vorrichtung trans-
portiert wird.
Nach dem Einschalten der Vakuumpumpen in der Vakuumprozesskammer der
PECVD-Vorrichtung fällt der Druck darin schnell ab, und somit fällt auch die Tem-
peratur darin entsprechend ab, und Wasserdampf droht an dem TFT-Matrixsub-
strat zu kondensieren. Daher droht nach dem Ausbilden der Passivierungsschicht
Wasser zwischen der Passivierungsschicht und dem Substrat zurückzubleiben,
was zu einer Verschlechterung der Leistung des TFTs führt (
).
Hiervon ausgehend liegt der Anmeldung als technisches Problem die Aufgabe
zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Passivierungsschicht und eines
TFT-Matrixsubstrats zur Verfügung zu stellen, bei dem die bestehenden Probleme
der herkömmlichen Techniken, wie oben beschrieben, gelöst sind, d.h. bei dem
insbesondere keine Wasserreste zwischen einer Passivierungsschicht und einem
Substrat zurückbleiben, so dass keine Verschlechterung der Leistung der TFTs
auf Grund von Wasser eintritt ().
Diese Aufgabe wird durch die Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttran-
sistor-Matrixsubstrats gemäß den selbständigen Ansprüchen 1 und 2 gelöst.
Das mit Anspruch 2 beanspruchte Verfahren weist eine Eignung zur Herstellung
eines Dünnschichttransistor-Matrixsubstrats auf, ohne dass notwendigerweise ein
solches hergestellt werden muss. Es umfasst eine Reihe von Schritten, für die je-
doch keine explizite Reihenfolge angegeben wird. Dabei ergibt sich jedoch für ei-
nige Schritte eine relative Reihenfolge zueinander, da beim Fehlen des einen
Schrittes der andere noch nicht ausgeführt werden kann. So können beispiels-
weise die Source-
und Drainelektroden nicht „auf“ oder richtigerweise „über“ der
Gateelektrode gebildet werden, wenn diese nicht vorher auf dem transparenten
- 8 -
Substrat gebildet wurde. Jedoch ergibt sich beim Anspruch 2 keine eindeutige
Reihenfolge, so dass der Anspruch in dieser Hinsicht vieldeutig bleibt.
Gemäß dem beanspruchten Verfahren werden Gateelektroden, Sourceelektroden
und Drainelektroden auf einem transparenten Substrat ausgebildet, und es wird
eine Passivierungsschicht auf den Source- und Drainelektroden sowie den Kanä-
len gebildet, welche zwischen den Sourceelektroden und den Drainelektroden ge-
bildet werden. Auf der Passivierungsschicht wird auch eine Pixelelektrodenschicht
gebildet, die mit den Drainelektroden elektrisch verbunden ist.
Das transparente Substrat wird in einer Vakuumprozesskammer platziert, in die
Ammoniakgas und Stickstoffgas eingeleitet werden. Ob deren Einleitung gleich-
zeitig erfolgt, lässt Anspruch 2 zunächst offen, genau wie auch offengelassen wird,
ob weitere Gase gemeinsam mit ihnen oder nacheinander eingeleitet werden. Be-
ansprucht wird in einer ersten Variante, dass Wasserstoffgas eingeleitet und eine
Spannung zwischen den Elektroden angelegt wird, bevor Ammoniakgas und
Stickstoffgas hinzugegeben werden, d. h. es werden nach dem Einleiten von
Wasserstoffgas noch Ammoniakgas und Stickstoffgas eingeleitet, wobei offen-
bleibt ob letztere gemeinsam oder nacheinander eingeleitet werden und ob vorher
schon Ammoniakgas und/oder Stickstoffgas eingeleitet wurden.
In einer zweiten Variante wird Wasserstoffgas eingeleitet, während Ammoniakgas
und Stickstoffgas eingeleitet werden. In dieser Variante ist eindeutig festgelegt,
dass alle drei Gase zumindest zu einem Zeitpunkt gleichzeitig eingeleitet werden.
2.
schrift D2 unter Berücksichtigung des durch die Druckschrift D4 nachgewiesenen
Fachwissens nahegelegt (§ 4 PatG).
Als zuständiger Fachmann ist hier ein berufserfahrener Physiker oder Chemiker
aus dem Bereich der physikalischen Chemie mit Hochschul- oder Fachhochschul-
- 9 -
abschluss zu definieren, der über langjährige Erfahrung im Bereich der Halbleiter-
prozesstechnik verfügt und mit der Entwicklung und Verbesserung von Herstel-
lungsprozessen für Halbleiterbauelemente, insbesondere für Anzeigen, betraut ist.
Die Prüfungsstelle hat als Hauptentgegenhaltung die Druckschrift D2 angegeben.
Diese beschreibt die Herstellung eines Dünnschichttransistor-Matrixsubstrats (
). Dabei wird die Herstellung von zwei isolie-
renden Schichten beschrieben, nämlich die der Gateisolationsschicht (
) und die der Passivierungsschicht
(). Druckschrift D2 beschäftigt sich demnach in erster
Linie mit der Herstellung der Gateisolationsschicht und nicht wie die vorliegende
Anmeldung mit der Herstellung der Passivierungsschicht.
- 10 -
Da jedoch in Anspruch 2 insgesamt ein Verfahren zur Herstellung eines Dünn-
schichttransistor-Matrixsubstrats und nicht lediglich ein Verfahren zur Herstellung
einer Passivierungsschicht eines solchen beansprucht wird, und zudem die Rei-
henfolge der Verfahrensschritte nicht festgelegt ist und sich auch aus dem An-
spruchstext nur zu einem geringen Teil ergibt, können auch die bei der Herstellung
der Gateisolationsschicht eingesetzten Verfahrensschritte als Schritte des bean-
spruchten Verfahrens angesehen werden. Denn diese Schritte tragen ebenfalls
zur Herstellung des Dünnschichttransistor-Matrixsubstrats bei. Damit offenbart
Druckschrift D2 in Übereinstimmung mit dem Wortlaut des Anspruchs 2 ein
2.
Verfahren
2.1 zur Herstellung eines Dünnschichttransistor-Matrixsubstrats (
), charakterisiert dadurch, dass das Verfahren fol-
gende Schritte umfasst:
2.2 Bilden einer Vielzahl von Gateelektroden () auf einem
transparenten Substrat (
);
2.3 Bilden einer Vielzahl von Sourceelektroden () und einer
Vielzahl von Drainelektroden () über den Gateelektroden (),
- 11 -
wobei eine Vielzahl von Kanälen zwischen den Sourceelektroden () und den
Drainelektroden () gebildet werden (
) und;
2.4 Platzierung des transparenten Substrates in eine Vakuumprozesskammer
(
);
2.5 Einleiten von Ammoniakgas und Stickstoffgas in die Vakuumprozesskammer
(
- 12 -
)
2.6 Anlegen einer Spannung um Plasma zu bilden (
)
2.7 Bilden einer Passivierungsschicht () auf den Kanälen, den
Sourceelektroden () und den Drainelektroden (
); und
2.8 Bilden einer Pixelelektrodenschicht auf der Passivierungsschicht (), wobei
die Pixelelektrodenschicht mit den Drainelektroden () elektrisch verbunden ist
(
);
2.9‘ wobei bevor Ammoniakgas und Stickstoffgas hinzugegeben werden oder
während Ammoniakgas und Stickstoffgas hinzugegeben werden, Wasserstoffgas
in die Vakuumprozesskammer eingeleitet wird und eine Spannung angelegt wird
um Plasma zu formen (
- 13 -
)“.
Die Entfernung von Wasser von den Oberflächen des Halbleiters und der Elektro-
den ergibt sich gemäß der Lehre der vorliegenden Anmeldung bei der in Druck-
schrift D2 offenbarten Prozessführung von selbst. Dies ist auch aus den Prozess-
temperaturen von 280°C () ersichtlich, bei denen kein
flüssiges Wasser auf der Oberfläche verbleibt. Bei dieser Temperatur desorbiert
auch adsorbiertes Wasser von den Oberflächen, was durch die Ionen des Plas-
mas und den Elektronenbeschuss aus dem Plasma verstärkt wird. Da Wasser auf
Silizium auch dissoziativ adsorbiert, sorgt das Plasma mit großem Wasserstoff-
überschuss dafür, dass der aus der Dissoziation stammende Sauerstoff als Was-
ser abgepumpt werden kann.
Es verbleibt somit das Teilmerkmal des Merkmals 2.6 und in der Folge des Merk-
mals 2.9, dass die Spannung zwischen zwei Elektroden gelegt wird, welche in der
Vakuumprozesskammer angeordnet sind. Dieses Merkmal ist in Druckschrift D2
nicht explizit offenbart, denn dort ist immer nur von einer Plasma-CVD-Methode
- 14 -
die Rede und einer Hochfrequenzleistungsdichte (
), ohne dass die PECVD-Kammer näher beschrieben wird.
Wie mittels einer Hochfrequenz ein Plasma erzeugt werden kann, ist dem Fach-
mann bekannt und wird beispielsweise in Druckschrift D4 offenbart ().
Dort wird für einen Plasmaprozess, der bei einer Temperatur unter 300° C abläuft
(
) eine HF-Spannung (
) an zwei Elektroden ()
gelegt, die sich in der Vakuumprozesskammer befinden. Zumindest kann die
Elektrode (), die die Kammer nach außen hin abschließt, als in der Kammer
befindlich angesehen werden. Zweifellos befinden sich zudem bei einer in
Abs. [0029] beschriebenen Alternative beide Elektroden in der Vakuumprozess-
kammer, da sich bei dieser Alternative die Elektrode () benachbart zur inneren
Oberfläche einer soliden Wand der Kammer befindet (
).
Für den Fachmann, der aus Druckschrift D2 keine nähere Information über den zu
verwendenden PECVD-Reaktor erhält, ist es nun naheliegend, eine ihm bekannte
PECVD-Kammer zur Ausführung des in Druckschrift D2 offenbarten Verfahrens zu
verwenden, so beispielsweise die in Druckschrift D4 offenbarte, zumal diese auch
bei relativ niedrigen Substrattemperaturen arbeitet. Damit ergeben sich das
Merkmal 2.6 und der verbleibende Teil des Merkmals 2.9 und somit insgesamt das
Verfahren des Anspruchs 2, so dass der Fachmann ohne erfinderisch tätig werden
- 15 -
zu müssen zum Verfahren nach Anspruch 2 gelangt (§ 4 PatG), weshalb dieses
nicht patentfähig ist (§ 1 Abs. 1 PatG).
3.
Es kann dahingestellt bleiben, ob das Verfahren des geltenden Anspruchs 1
oder die Verfahren nach den abhängigen Ansprüchen patentfähig sind, denn we-
gen der Antragsbindung im Patenterteilungsverfahren fallen mit einem der Pa-
tentansprüche, hier dem Patentanspruch 2, auch alle anderen Ansprüche eines
Anspruchssatzes (BGH
)
4.
Bei dieser Sachlage war die Beschwerde der Anmelderin auf Grund der
fehlenden Patentfähigkeit des Verfahrens nach Anspruch 2 (§ 1 Abs. 1 i. V. m. § 4
PatG) zurückzuweisen.
III. Rechtsmittelbelehrung
Rechtsbe-
schwerde
nur statthaft, wenn einer der nachfolgenden Verfahrensmängel gerügt wird, näm-
lich
1. dass das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,
2. dass bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der Aus-
übung des Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder wegen
Besorgnis der Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,
3. dass einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,
4. dass ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes
vertreten war, sofern er nicht der Führung des Verfahrens ausdrücklich
oder stillschweigend zugestimmt hat,
5. dass der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung ergangen
ist, bei der die Vorschriften über die Öffentlichkeit des Verfahrens ver-
letzt worden sind, oder
- 16 -
6. dass der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.
innerhalb eines Monats
schlusses
schriftlich durch einen beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt als
Bevollmächtigten beim Bundesgerichtshof, Herrenstr. 45 a, 76133 Karlsruhe,
einzureichen oder
durch
einen
beim
Bundesgerichtshof
zugelassenen
Rechtsanwalt
als
Dokumente ist die elektronische Poststelle des Bundesgerichtshofs bestimmt. Die
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Dokuments in die elektronische Poststelle. Elektronische Dokumente sind mit
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Dr. Strößner
Dr. Friedrich
Dr. Zebisch
Dr. Himmelmann
Pr