Urteil des BPatG vom 14.10.2014
Stand der Technik, Patentanspruch, Stickstoff, Einspruch
BPatG 154
05.11
BUNDESPATENTGERICHT
14 W (pat) 701/12
_______________
(Aktenzeichen)
Verkündet am
14. Oktober 2014
…
B E S C H L U S S
In der Einspruchssache
betreffend das Patent 10 2008 054 139
…
- 2 -
hat der 14. Senat (Technischer Beschwerdesenat) des Bundespatentgerichts auf
die mündliche Verhandlung vom 14. Oktober 2014 unter Mitwirkung des Vorsit-
zenden Richters Dr. Maksymiw, der Richter Schell und Dr. Jäger, sowie der Rich-
terin Dr. Wagner
beschlossen:
Auf den Einspruch wird das Patent in vollem Umfang aufrechterhalten.
G r ü n d e
I .
Die Erteilung des Patents 10 2008 054 139 mit der Bezeichnung
„Glas- oder Glaskeramik-Substrat mit Kratzschutzbeschichtung, dessen Verwen-
dung und Verfahren zu dessen Herstellung“
ist am 11. November 2010 veröffentlicht worden. Das Patent umfasst 19 Patent-
ansprüche, von denen die Ansprüche 1, 15 und 19 wie folgt lauten:
„1. Glasgegenstand mit Kratzschutzbeschichtung, umfassend ein Glas-
oder Glaskeramiksubstrat, sowie darauf abgeschieden eine Siliziumo-
xinitridschicht als Kratzschutzschicht, dadurch gekennzeichnet, dass in
der Siliziumoxinitridschicht das Verhältnis der Atomprozente von Sau-
erstoff zu Stickstoff, gemessen mit Sekundärionen-Massenspektrosko-
pie und Schichtabtrag mittels eines Cäsium-Ionenstrahls größer als 1,
vorzugsweise mindestens 2 beträgt, wobei die Siliziumoxinitridschicht
eine Schichtdicke von zumindest 500 Nanometern aufweist und rönt-
genamorph ist.
- 3 -
15. Verfahren zur Herstellung eines Glasgegenstands mit Kratzschutzbe-
schichtung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, umfassend die
folgenden Schritte:
- Einführen eines Glas- oder Glaskeramik-Substrats in eine Vakuum-
kammer und
- Aufsputtern
einer
Siliziumoxinitridschicht
von
zumindest
500 Nanometern Dicke unter Verwendung eines Plasmas in einem
Sauerstoff und Stickstoff enthaltenden Prozessgas und eines Silizium-
targets, wobei die Zusammensetzung des Prozessgases durch Rege-
lung des Sauerstoff-Flusses eingestellt wird, und wobei ein mittlerer
Sauerstoffgehalt des Prozessgases von zumindest 20%, vorzugsweise
30% eingestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Leistung von
größer 10 Watt pro cm
2
, bevorzugt zumindest 12 Watt pro cm
2
Tar-
getfläche für das Sputtern eingesetzt wird, so dass eine röntgenamor-
phe Schicht abgeschieden wird.
19. Verwendung eines Glasgegenstands gemäß einem der Ansprüche 1
bis 14
- als Sichtfenster, insbesondere für Fahrzeuge oder Scannerkassen,
oder
- als Glaskeramik-
Kochfeld.“
Zum Wortlaut der rückbezogenen Ansprüche 2 bis 14 und 16 bis 18, die beson-
dere Ausgestaltungen des Glasgegenstands und des Verfahrens zu dessen Her-
stellung betreffen, wird auf die Streitpatentschrift verwiesen.
Gegen dieses Patent ist mit dem am 10. Januar 2011 eingegangenen Schriftsatz
Einspruch erhoben worden. Der Einspruch ist im Wesentlichen damit begründet,
dass der Glasköper nach Patentanspruch 1 und das Verfahren zu dessen Her-
stellung nach Patentanspruch 15 gegenüber den Druckschriften
- 4 -
D1
WO 2007/000532 A2
D2
WO 2006/133786 A1
D3
EP 1 005 440 B1
D4
Stichwort „Mylar“, Chemie, Römpp Lexikon, Hrsg.
J. Falbe, M. Regitz, 10. Aufl., 1998, Bd. 4, Seite 2788.
D5
WO 2006/118851 A2
D6
„Praxishandbuch
moderne
Beschichtungen“,
Hrsg.
K.W. Mertz, H.A. Jehn , Hanser Verlag, 2001, Seiten 158
bis 165.
D7
„Verfahren der Oberflächentechnik“, Hrsg. H. Hofmann,
J. Spindler, Fachbuchverlag Leipzig, 2004, Seiten 108 bis
109.
D8
„dtv-Atlas Physik“, Bd. 1, Hrsg. H. Breuer, Deutscher Ta-
schenbuch Verlag, 2004, Seiten 124 bis 125.
D9
Auszug aus dem Patentblatt PW 35/2007, Teil 2 A,
Offenlegungen, betreffend die deutsche Offenlegungs-
schrift 10 2006 003 560
D12 DE 198 51 280 A1
und den weiteren Dokumenten
A1:
BPatG, 14 W (pat) 52/99 vom 28.11.2000, Seite 8
A2:
BGH X ZR 184/98 vom 5. Oktober 2000 -
„Zeittelegramm“
A3:
BGH, BGHZ 156, 179 -
„blasenfreie Gummibahn I“
A4:
IPC (6. Ausg. 1994) Bd. 2, Sektion B, Seiten 142 bis 143
A5:
Offenlegungsschrift DE103 26 848 A1, Seite 1
A6:
BPatG, 21 W 334/05 vom 20. Mai 2010
A7:
Patentschrift DE 101 47 708 C1, Spalten 3 und 4, sowie
Fig. 1
A8:
BPatG, 14 W (pat) 39/00 vom 24. Oktober 2000, Seiten 1,
7 und 8
- 5 -
nicht patentfähig sei, da der streitpatentgemäße Glasgegenstand mit Kratzschutz-
beschichtung gemäß Patentanspruch 1 und dessen Herstellungsverfahren gemäß
Patentanspruch 15 nicht mehr neu seien bzw. keine erfinderische Auswahl
begründet werde.
Der Einsprechende hat schriftsätzlich vorgetragen, dass aus den Druckschriften
D1, D3, D5 und der von der Patentinhaberin angeführten Druckschrift
D11
WO 2001/21540 A1
Glasgegenstände mit einer Si(O,N)-Kratzschutzbeschichtung gemäß Patentan-
spruch 1 bekannt seien, deren Beschichtungen die gleiche Zusammensetzung wie
die streitpatengemäße Kratzschutzbeschichtung aufwiesen. Bei der in Patentan-
spruch 1 genannten Analysenmethode zur Bestimmung des atomaren Verhältnis-
ses von Sauerstoff zu Stickstoff handele es sich um eine geläufige Untersu-
chungsmethode, wie D2 belege. Im Hinblick auf die Schichtdicke der Siliziumo-
xinitridschicht mit von zumindest 500 nm hat der Einsprechende eingewandt, dass
in D3 eine Einzelschichtdicke mit bis 200 nm vorgesehen sei, die dem streitpa-
tentgemäßen Bereich der Einzelschichtdicken mit 100 bis 300 nm bei bis zu zehn
Einzelschichten entspreche. Nachdem in D3 ein zu D1 identisches Herstellungs-
verfahren angewandt werde, bei dem nach D1 in der Hauptsache homogene
Schichten im Sinne einer röntgenamorphen Schicht erhalten werden, sei davon
auszugehen, dass die nach D3 erhaltenen Schichten ebenfalls röntgenamorph
seien.
Im Übrigen sei in D5 verdeutlicht, dass Glasscheiben zum Schutz vor Vandalis-
mus mit einer Siliciumoxinitrid-Schicht ausgerüstet werden. Die Beschichtung
werde in D5 mittels Sputtern und zusätzlicher Ionenstrahlung von einer Ionen-
quelle erzeugt.
Zu den Verfahrensschritten gemäß Patentanspruch 15 hat der Einsprechende
geltend gemacht, das die Druckschrift D3, die ein Verfahren zum Aufsputtern einer
- 6 -
Siliciumoxinitridschicht unter Verwendung eines Plasmas der Prozessgase Sauer-
stoff und Stickstoff, wobei 20% Sauerstoff vorliegen, offenbare. Aus D6 sei zudem
bekannt, dass beim Magnetron-Sputtern die Abscheideraten verglichen mit der
Dioden-Zerstäubung um das 5 bis 10 fache erhöht seien. Das zerstäubte Metall,
z.B. Silicium werde vom Target abgelöst und auf das Substrat abgeschieden. Un-
ter Berücksichtigung des Sachverhaltes nach D6 sei eine Umrechnung der in D3
angegebenen Leistung bezogen auf die Fläche des verwendeten Substrats
„Mylar“ möglich und es ergäben sich für eine angenommene kleine Streuung im
Bereich von 5 bis 10 Grad Leistungen von größer 10 W/cm
2
. Dieser hohe Leis-
tungseintrag bewirke röntgenamorphe Schichten. Darüber hinaus sei dem Fach-
mann aus D4 bekannt, dass es sich bei Mylar um eine Kunststoff-Folie handele,
die kein starres bzw. kompaktes Gebilde, wie ein Glassubstrat, sei. Auf ein sol-
ches Substrat bringe man dünne Schichten mit Dicken von 140, 145, 205 und 355
Ångström auf, die sich anschmiegten und nicht ablösten bzw. abplatzten. Demge-
genüber sei bei dem Substrat Glas eine größere Variabilität hinsichtlich der
Schichtdicke gegeben, folglich begründe die ausgewiesene Größenangabe von
mindestens 500 nm gemäß Streitpatent keine erfinderische Auswahl, zumal in D1
eine Schichtdicke einer Siliziumoxinitridschicht auf einer Glaskeramikfläche mit 20
bis 1000 nm entnehmbar sei.
Des Weiteren hat der Einsprechende auf D7 verwiesen, die eine zu D6 analoge
Magnetron-Sputteranlage offenbare, bei der mehrere Sputterquellen vorgesehen
seien. Die Reproduzierbarkeit der Si(O,N)-Schichten sei zwar temperaturabhän-
gig, jedoch stellten sich gemäß D6 Temperaturen des Substrates von 100 bis
250 °C bei der Beschichtung im Magnetron von selbst ein. Zur Nacharbeitung sei
es keinesfalls erforderlich, dass ein Faktor zahlenmäßig angegeben sei, wie bspw.
welcher Bruchteil der zugeführten Leistung als Wärme freigesetzt das Substrat
temperiere, um ein reproduzierbares Arbeiten zu ermöglichen.
Der Einsprechende beantragt schriftsätzlich,
das Patent zu widerrufen.
- 7 -
Er ist auf die ordnungsgemäße Ladung, wie im Schriftsatz vom 6. Oktober 2014
angekündigt, zur mündlichen Verhandlung nicht erschienen.
Die Patentinhaberin beantragt,
den Einspruch zurückzuweisen.
Sie tritt dem Vorbringen des Einsprechenden in allen Punkten entgegen und ver-
weist neben D11 noch auf folgendes Dokument:
D10
DE 103 42 397 A1
Der angeführte Stand der Technik sei nicht dazu geeignet, die Neuheit oder die
erfinderische Tätigkeit der Patentansprüche in Frage zu stellen. In der D1 werde
keine Mischung von Prozessgasen zur Herstellung von Siliciumoxinitrid beschrie-
ben. Es sei lediglich die Herstellung von einer Si
3
N
4
-Beschichtung mit Ar/N
2
-Pro-
zessgas oder einer SiO
2
-Beschichtung mit Ar/O
2
-Prozessgas beschrieben. Auch
sei D1 nicht zu entnehmen, dass es sich bei den erzeugten Beschichtungen um
röntgenamorphe Schichten handele. D1 offenbare lediglich, dass die erzeugte
Schicht homogen sei, eine Aussage ob die Schicht röntgenamorph sei, fände sich
in der Druckschrift nicht. Darüber hinaus könne eine amorphe Schicht durchaus
inhomogen sein, etwa wenn die Schicht Blasen oder Einschlüsse aufweise.
Zu Patentanspruch 15 hat die Patentinhaberin geltend gemacht, dass sich aus der
D3 nicht ergebe, dass eine röntgenamorphe Schicht vorliege, da der Einspre-
chende bei seiner Berechnung der Leistung von falschen Voraussetzungen aus-
gegangen sei. Denn die Substratgrundfläche bilde nicht die Mylarfläche sondern
die Glasfläche, auf der die Mylarfolie aufgebracht sei. Damit ergebe sich eine
rechnerische Leistung von 4.4 W/cm
2
.
Die in D3 angegebenen Gesamt-Leistungen bis 4 KW seien übliche Sputterleis-
tungen, die zu Leistungsdichten deutlich unter 10 W/cm
2
führten.
- 8 -
Auch sei D3 das Verhältnis der Atomprozente nicht entnehmbar, da gemäß Pa-
tentanspruch 2 jegliche mögliche Zusammensetzung von Siliciumoxinitrid umfasst
sei. Der beanspruchte Bereich sei durch die breite Summenformel nicht offenbart.
Darüber hinaus offenbare D3 keine Schichtdicke von 200 nm, sondern nur 200
Ångström.
Entgegen des Einwands des Einsprechenden sei
das Merkmal „einer Schichtdicke
von mindestens 500 nm“ im Streitpatent durchaus als vorteilhaft dargestellt.
Ein Anlass für die Kombination der D3 mit D1 sei nicht gegeben, da die D3 eine
Korrosionsschutzschicht für die abgedeckte infrarotreflektierende metallische
Schicht betreffe und es daher fraglich sei, ob der Fachmann diese Schicht für die
Beschichtung eines Glaskeramikfeldes gemäß D1 in Betracht gezogen habe, auch
wenn in D1 Schichtdicken von 20 bis 1000 nm vorgesehen seien. Außerdem seien
weder die Beschichtungen gemäß D3 noch gemäß D1 röntgenamorph.
Gleiches gelte für die Ätzschutzschichten gemäß D5, die mit maximal 800 Ångst-
röm erheblich dünner als streitpatentgemäß vorgesehen ausfielen.
Wegen weiterer Einzelheiten, insbesondere zum Wortlaut der jeweils rückbezoge-
nen Patentansprüche wird auf den Akteninhalt verwiesen.
II.
1.
Die Zuständigkeit des Bundespatentgerichts ergibt sich im vorliegenden Fall
aus dem zulässigen Antrag des Einsprechenden gem. § 61 Abs. 2 S. 1 Nr. 2
PatG. Ausnahmen gem. § 61 Abs. 2 S. 2 PatG sind weder geltend gemacht noch
sonst ersichtlich.
2.
Der Einspruch ist zulässig, aber nicht begründet.
- 9 -
3.
Die Zulässigkeit der erteilten Patentansprüche 1 bis 19 ist gegeben.
Der Patentanspruch 1 geht inhaltlich auf die ursprünglich eingereichten Patentan-
sprüche 1 und 6 i.V.m. den Erstunterlagen, Beschreibung, S. 9, Z. 14 bis 21, zu-
rück. Der nebengeordnete Patentanspruch 15 basiert inhaltlich auf den ursprüng-
lich eingereichten Patentansprüchen 6, 17 und 20 i.V.m. den Erstunterlagen, Be-
schreibung, S. 9, Z. 14 bis 21. Der Patentanspruch 19 entspricht dem ursprünglich
eingereichten Patentanspruch 22. Die nachgeordneten Patentansprüche 2 bis 14
und 16 bis 18 entsprechen den ursprünglich eingereichten Patentansprüchen 2 bis
5, 7 bis 9, 11 bis 16 und 18 bis 21. Die Ansprüche sind auch sonst nicht zu bean-
standen.
Die Offenbarung ist im Übrigen von dem Einsprechenden nicht angegriffen wor-
den.
4.
Der Glasgegenstand mit der in Patentanspruch 1 definierten Zusammenset-
zung, das Verfahren zu dessen Herstellung gemäß Patentanspruch 15 und des-
sen Verwendung gemäß Patentanspruch 19 sind neu.
Keine der im Verfahren befindlichen Druckschriften kann die Neuheit der bean-
spruchten Gegenstände in Frage stellen, denn keine dieser Entgegenhaltungen
gibt einen Glasgegenstand mit Kratzschutzbeschichtung mit den im Patentan-
spruch 1 genannten Merkmalen, ein Verfahren zur Herstellung eines Glasgegen-
stands mit Kratzschutzbeschichtung mit den im Patentanspruch 15 genannten
Merkmalen bzw. eine Verwendung eines Glasgegenstands gemäß den Merkma-
len nach Patentanspruch 19 an.
4.1
Die in den Entgegenhaltungen D1, D3, D5 und D10 bis D12 offenbarten
Glasgegenstände unterscheiden sich von dem beanspruchten Glasgegenstand
gemäß Patentanspruch 1 bereits darin, dass sie keine röntgenamorphe Siliziumo-
xinitridschicht aufweisen (vgl. D1, Patentanspruch 1 i.V.m. Beschreibung S. 4,
3. Abs., S. 8, 2. Abs., 4. Abs., S. 9, 1. Abs.; D3, Patentansprüche 1, 2 und 5, Be-
schreibung S. 4 Abs. [0022-0023]; D5, Patentansprüche 1, 2, 23, Beschreibung
- 10 -
S. 10/11, Abs. [0040], S. 13/14, Abs. [0048]; D10, Patentansprüche 1 bis 5, 27, 28
und 35, Beschreibung S. 4 Abs. [0023], [0026-0030], S. 5, Abs. [0039-0041], D11,
Patentansprüche 1 und 10, Beschreibung S. 1/2 übergr. Abs., S. 2/3, übergr. Satz,
S. 3, letzter Abs. bis S. 4, 3. Abs., S. 7, Z. 31 bis 33; D12, Patentansprüche 1 bis 3
und 6).
Der Einwand des Einsprechenden, dass das Merkmal „röntgenamorph“ sich
zwangläufig bei den Siliciumoxinitrid-Schichten einstelle, wenn diese durch ein
Sputter-Verfahren herstellt würden, kann nicht durchgreifen. Bei Sputter-Verfahren
werden, wie auch vom Einsprechenden überzeugend dargelegt, amorphe Schich-
ten erhalten, diese sind jedoch nicht zwingend röntgenamorph. Erst beim Einsatz
einer hohen Sputterleistung mit über 10 W pro cm
2
Targetfläche sind diese
amorphen Schichten auch streitpatentgemäß röntgenamorph, d.h. sie liefern im
Röntgen-Beugungsspektrum keine scharfen Interferenzen, die sich insbesondere
um nicht mehr als 10% des durchschnittlichen Untergrundsignals hervorheben
(vgl. Streitpatentschrift, S. 5, Abs. [0031]).
4.2
Die Verfahren zur Herstellung von Glasgegenständen gemäß den Ent-
gegenhaltungen D1, D3, D5 und D10 bis D12 unterscheiden sich von dem in
Patentanspruch 15 beanspruchten Verfahren darin, dass keine Leistung von grö-
ßer 10 Watt pro cm
2
Targetfläche für das Sputtern eingesetzt wird, um so eine
röntgenamorphe Siliziumoxinitridschicht zu erzeugen (vgl. D1, Patentansprüche 1,
11 und 13, Beschreibung S. 9, 1. Abs. i.V.m. S. 8, 2. Abs.; D3, Beschreibung S. 4
bis 5, Abs. [0023-0024], S. 5/6 Abs. [0030], S. 6, Abs. [0033-0034] i.V.m. Tabelle 1
auf S. 7, S. 10, Abs. [0041-0042], S. 10/11, Abs. [0046], S. 11 Abs. [0047]; D5,
Patentansprüche 1 bis 6, 23, Beschreibung S. 10, letzter Abs., S. 13, Abs. [0046],
D10, Patentansprüche 1, 3, 27, 28 und 32, Beschreibung S. 6, Abs. [0045]; D11,
Patentansprüche 1 und 2, Beschreibung S. 11 Z. 32 bis S. 12 Z. 3; D12, Pa-
tentansprüche 1, 2 und 6, Beschreibung Sp. 4, Z. 5 bis 27, Sp. 4, Z. 58 bis Sp. 5,
Z. 3).
- 11 -
Das Argument des Einsprechenden, dass bei dem Verfahren nach D3 bezogen
auf die Fläche des dort verwendeten Substrat „Mylar“ mit sich rechnerisch bei ei-
ner angenommenen kleinen Streuung von 5 bis 10 Grad Leistungen von größer
10 W/cm
2
ergeben und sich damit zwangsläufig röntgenamorphe Schichten
einstellen würden, kann nicht überzeugen. Denn die Substratgrundfläche wird
nicht, wie vom Einsprechenden angenommen, von der Mylarfolie (Fläche:
104,04 cm
2
) gebildet, sondern von der Glasoberfläche, die mit 900 cm
2
deutlich
größer ist (vgl. D3, Beschreibung S. 6, Abs. [0033]). Folglich beträgt die
rechnerische Leistung 4.4 W pro cm
2
Targetfläche. Diese Leistung liefert aber
keine röntgenamorphen Schichten.
4.3
Die weiteren Entgegenhaltungen D2, D4 und D6 bis D9 können die Neuheit
der Patentansprüche 1, 15 und 19 nach Auffassung des Senats nicht in Frage
stellen, da sie weder Glasgegenstände mit Kratzschutzbeschichtung, noch ein
Verfahren zu deren Herstellung betreffen.
5.
Der Gegenstand des Patentanspruchs 1 beruht auch auf einer erfinderischen
Tätigkeit.
5.1
Aufgabe des Streitpatents ist es, für eine Glasoberfläche eine transparente
mechanische Kratzschutzbeschichtung bereitzustellen, welche neben einer er-
höhten Kratzschutzwirkung eine hohe Transmission und eine geringe Lichtstreu-
ung auch nach langer Benutzungsdauer aufweist (vgl. Streitpatentschrift, Be-
schreibung S. 2, Abs. [0008]).
5.2
Diese Aufgabe wird gemäß Patentanspruch 1 durch einen
1.1
Glasgegenstand mit Kratzschutzbeschichtung, umfassend
1.2
ein Glas- oder Glaskeramiksubstrat,
1.3
mit einer darauf abgeschiedene Siliziumoxinitridschicht als Kratzschutz-
schicht,
- 12 -
1.4
wobei das Verhältnis der Atomprozente von Sauerstoff zu Stickstoff in der
Siliziumoxinitridschicht, gemessen mit Sekundärionen-Massenspektrosko-
pie und Schichtabtrag mittels eines Cäsium-Ionenstrahls größer als 1, vor-
zugsweise mindestens 2 beträgt,
1.5
wobei die Siliziumoxinitridschicht eine Schichtdicke von zumindest
500 Nanometern aufweist und
1.6
röntgenamorph ist,
gelöst.
5.3
Die Aufgabe wird gemäß Patentanspruch 15 ferner gelöst durch ein
15.1 Verfahren zur Herstellung eines Glasgegenstandes mit Kratzschutzbe-
schichtung umfassend folgende Schritte:
15.2 Einführen eines Glas- und Glaskeramik-Substrats in eine Vakuumkammer
und
15.3 Aufsputtern einer Siliziumoxinitridschicht
15.4 von zumindest 500 Nanometern Dicke
15.5 unter Verwendung eines Plasmas in einem Sauerstoff und Stickstoff enthal-
tenden Prozessgases und
15.6 eines Siliziumtargets,
15.7 wobei die Zusammensetzung des Prozessgases durch Regelung des Sauer-
stoff-Flusses eingestellt wird, und
15.8 wobei ein mittlerer Sauerstoffgehalt des Prozessgases von zumindest 20%,
vorzugsweise zumindest 30% eingestellt wird,
15.9 eine Leistung von größer 10 Watt pro cm
2
, bevorzugt zumindest 12 Watt
pro cm
2
Targetfläche für das Sputtern eingesetzt wird,
15.10 so dass eine röntgenamorphe Schicht abgeschieden wird.
- 13 -
5.4
Des Weiteren wird die Aufgabe gemäß Patentanspruch 19 durch die
19.1 Verwendung eines Glasgegenstands
19.2 als Sichtfenster, insbesondere für Fahrzeuge oder Scannerkassen, oder
19.3 als Glaskeramik-Kochfeld.
gelöst.
5.5
Geltender Rechtsprechung folgend, ist bei der Bewertung der erfinderi-
schen Tätigkeit zunächst zu klären, was die Erfindung gegenüber dem Stand der
Technik tatsächlich leistet (BGH GRUR 2003, 693
– Hochdruckreiniger) und ob
der Fachmann Veranlassung hatte, diesen Stand der Technik zu ändern. Dabei
besteht bei der Wahl des Ausgangspunktes jedoch „kein Vorrang eines nächst-
kommenden Standes der Technik“ (BGH GRUR 2009 382, 387 [51] - Olanzapin).
Vielmehr bedarf es bei der Auswahl des Ausgangspunktes der Rechtfertigung, die
in der Regel in dem Bemühen des Fachmannes liegt, für einen bestimmten Zweck
eine bessere Lösung zu finden, als sie der bekannte Stand der Technik zur Verfü-
gung stellt. Um die Lösung des technischen Problems auf dem Weg der Erfindung
zu suchen, bedarf es dafür daher über die Erkennbarkeit des technischen Pro-
blems hinausreichender Anstöße, Anregungen, Hinweise und sonstiger Anlässe
(BGH GRUR 2009 746 Ls.
– Betrieb einer Sicherheitseinrichtung).
Diesen Grundsätzen folgend, bedurfte es zur Lösung der dem Streitpatent zu-
grunde liegenden Aufgabe, einen Glasgegenstand mit Kratzschutzbeschichtung
mit dem in Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen, dem Verfahren zu dessen
Herstellung mit dem in Patentanspruch 15 angegebenen Merkmalen und dessen
Verwendung gemäß den Merkmalen nach Patentanspruch 19 vorzuschlagen, ei-
nes erfinderischen Zutuns. Denn keine der vorliegenden Entgegenhaltungen
spricht das zulösende Problem an, einen Glasgegenstand mit Kratzschutzbe-
schichtung zu entwickeln, der neben einer erhöhten Kratzschutzwirkung eine hohe
Transmission und eine geringe Lichtstreuung auch nach langer Benutzungsdauer
- 14 -
aufweist, oder gibt Hinweise darauf, dass eine derartige Problemstellung zu lösen
ist.
5.6
Bei dem vorliegend zuständigen Fachmann handelt es sich um einen Che-
miker oder einem Ingenieur der Materialwissenschaften mit mehrjähriger Erfah-
rung auf dem Gebiet der Glasbeschichtung.
5.7
Zur Lösung der Aufgabe wird sich der Fachmann am gattungsgemäßen
Stand der Technik orientieren. So konnte er von dem in der Druckschrift D1 be-
schriebenen Glaskeramik-Kochfeld ausgehen. Das Glaskeramik-Kochfeld weist
eine Beschichtung auf, die dem Kochfeld eine erhöhte mechanische Beständigkeit
verleiht (vgl. D1, Patentanspruch 1, Beschreibung, S. 4, 3. Abs., S. 11, letzte Zeile
bis S. 12, Z. 9). Als eine Beschichtung mit hoher Transmission kann u.a. eine Sili-
ziumoxinitrid-Schicht in einer Schichtdicke von 15 bis 1000 nm aufgebracht sein
(vgl. D1, Beschreibung S. 8, 1. und 2. Abs., 4. Abs., 1. Satz). Somit sind aus der
D1 die Merkmale 1.1 bis 1.3 und 1.5 des Patentanspruchs 1 gemäß Streitpatent
bekannt. Ein Hinweis darauf, dass das Verhältnis der Atomprozente von Sauer-
stoff zu Stickstoff in der Siliziumoxinitridschicht, gemessen mit Sekundärionen-
Massenspektroskopie und Schichtabtrag mittels eines Cäsium-Ionenstrahls größer
als 1, vorzugsweise mindestens 2 beträgt und dass die Schicht röntgenamorph
ist, kann der D1 nicht entnommen werden.
Auch die D3 stellt einen möglichen Ausgangspunkt zum Auffinden einer Lösung
der streitpatentgemäßen Aufgabe dar. Die Druckschrift betrifft einen mit einer
Silziumoxinitrid-Schutzschicht beschichteten Glaskörper (vgl. D3, Patentansprü-
che 1, 2 und 13, Beschreibung S. 4, Abs. [0023], S. 6, Abs. [0033]). Die Schutz-
schicht verleiht dem Glasgegenstand mechanischen Schutz im Sinne der streit-
patentgemäßen Kratzschutzes (vgl. D3, Beschreibung S. 4, Abs. [0022]).
Das Siliziumoxinitrid hat die Formel Si
3-2x
O
2x
N
4-4x
, wobei x größer als 0 und kleiner
als 1 ist (vgl. D3, Patentanspruch 2, Beschreibung S. 4, Abs. [0023]). Unter diese
Formel fallen auch die Zusammensetzungen gemäß Merkmal 1.4, denn rechne-
- 15 -
risch ergibt sich bspw. für x= 0,65 die Summenformel Si
1,7
O
1,3
N
1,4
, die ein Verhält-
nis an Atomprozenten von Sauerstoff zu Stickstoff von 1,07 aufweist. Die Merk-
male 1.1 bis 1.4 des Patentanspruchs gemäß Streitpatent lassen sich folglich der
Entgegenhaltung D3 entnehmen. Eine Anregung, die Siliziumoxinitrid in einer
Schichtdicke von zumindest 500 nm und röntgenamorph, entsprechend den Merk-
malen 1.5 und 1.6 des Patentanspruchs 1 des Streitpatents, auszubilden, findet
sich in D3 dagegen nicht.
Ausgehend von der Druckschrift D11 gelangt der Fachmann ebenfalls nicht zu
dem streitpatentgemäßen Glasgegenstand gemäß Patentanspruch 1. Die Entge-
genhaltung betrifft zwar einen mit Siliziumoxinitrid beschichteten Glaskörper, des-
sen Beschichtung ihm eine höhere mechanische Beständigkeit - im Sinne des
streitpatentgemäßen Kratzschutzes - und eine hohe Transparenz verleiht (vgl.
D11, Patentansprüche 1, 2 und 10, Beschreibung S. 4, Z. 1 bis 4, Z. 7 bis 15, S. 5,
Z. 1 bis 9, Z. 21 bis 34, S. 7, Z. 31 bis 33). Somit sind die Merkmale 1.1 bis 1.3
des Patentanspruch 1 gemäß Streitpatent aus D11 bekannt. Der Druckschrift las-
sen sich jedoch keine Hinweise dahingehend entnehmen, ein Verhältnis der
Atomprozente von Sauerstoff zu Stickstoff in der Siliziumoxinitridschicht von grö-
ßer 1 vorzusehen und die Schichten röntgenamorph, sowie in einer Schichtdicke
von zumindest 500 Nanometern auszubilden.
Schließlich führt eine Zusammenschau dieser Dokumente auch nicht zum Streit-
gegenstand, da einer solchen ebenfalls nicht alle Merkmale des Patentanspruch 1
zu entnehmen sind. Zudem fehlt es an einer Veranlassung, zur Lösung der streit-
patentgemäßen Aufgabe diese Druckschriften zu kombinieren, da es in keiner
Entgegenhaltung einen Hinweis auf eine Kratzschutzbeschichtung gibt, die neben
einer erhöhten Kratzschutzwirkung eine hohe Transparenz und eine geringe Licht-
streuung auch nach langer Benutzungsdauer aufweist.
Der Einsprechende vertritt schriftsätzlich die Auffassung, dass Siliziumoxinitrid-
Schichten grundsätzlich röntgenamorph seien, wenn sie mittels eines Sputterver-
- 16 -
fahrens erzeugt werden. Im Hinblick auf die Morphologie solcher Schichten ver-
weist er auf die D6, die PVD-Verfahren, insbesondere Sputter-Verfahren, und die
Struktur der damit hergestellten Schichten erläutert (vgl. D6, 159 bis 163
, „2.1.2.2
Kathodenzerstäuben (Sputtern)
“, S. 163 bis 165 „2.1.3 Schichtstruktur“). Entgegen
der Ansicht des Einsprechenden lassen sich der Druckschrift D6 keine Angaben
zur Schichtmorphologie entnehmen, die daraufhin deuten, dass überhaupt rönt-
genamorphe Strukturen im streitpatentgemäßen Sinn vorliegen (vgl. Streitpatent-
schrift S. 5, Abs. [0031]), wenn diese durch ein Sputterverfahren erhalten werden.
Die übrigen dem Senat vorliegenden Druckschriften D2, D4, D5, D7 bis D10 und
D12 können zur Auffindung der streitpatentgemäßen Lösungen gemäß Patentan-
spruch 1 ebenfalls nichts beitragen, da sie nur Si(O,N)-Unterschichten für die ei-
gentlichen Kratzschutzbeschichtungen und Kratzschutzbeschichtungen aus Me-
talloxiden beschreiben oder lediglich allgemeine Lehren zu Sputterverfahren, Se-
kundärionen-Massenspektrometrie und Mylar offenbaren.
Der Gegenstand des Patentanspruchs 1 ist daher vom Stand der Technik nicht
nahegelegt.
5.8
Die vom Einsprechenden schriftsätzlich im Hinblick auf das Herstellungs-
verfahren gemäß Patentanspruch 15 als nächstkommender Stand der Technik
diskutierte Druckschrift D3 betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Glasge-
genstandes mit einer Siliziumoxinitridschicht (vgl. D3, Patentansprüche 1 und 2,
Beschreibung S. 2/3 Abs. [0008], S. 4. Abs. [0023]). Die Silziumoxinitridschicht
wird mittels Sputtern in einer Sputterkammer auf ein Siliziumtarget abgeschieden,
wobei das Plasma aus einer Mischung aus Sauerstoff und Stickstoff besteht (vgl.
D3, S. 4/5, Abs. [0024], S. 5/6, Abs. [0030]). Der Sauerstoffgehalt im Prozessgas
kann bis zu 20 % an Sauerstoff
– entsprechend Merkmal 15.8 - betragen (vgl. D3,
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S. 10 Abs. [0041]). Die Regelung der Prozessgaszusammensetzung erfolgt über
den Sauerstoff-Fluss [Merkmal 15.7] (vgl. D3, Beschreibung S. 10 Abs. [0046]).
Auch wenn eines der Ziele der D3 die Bereitstellung eines Glaskörpers mit einem
mechanischen
Schutzschicht
aus
Siliziumoxinitridschicht
ist
(vgl.
D3,
Beschreibung S. 4, Abs. [0022]), so wird der Fachmann diese Eigenschaft auf die
stöchiometrische Zusammensetzungen der Siliziumoxinitridschicht zurückführen,
nicht aber auf deren Morphologie. Hinweise dahingehend, das Verfahren bei einer
Leistung von größer 10 Watt pro cm
2
durchzuführen, um so eine röntgenamorphe
Schicht zu erhalten, finden sich in diesem Dokument nicht. Auch die Ausbildung
der Kratzschutzbeschichtung in einer Dicke von zumindest 500 nm ist D3 nicht zu
entnehmen. Somit erhält der Fachmann mit diesem Dokument auch keine An-
regungen zur Lösung der dem Streitpatent zugrundeliegenden Aufgabe, ein Ver-
fahren zur Herstellung eines Glasgegenstandes mit einer Kratzschutzbeschich-
tung mit der im strittigen Patentanspruch 15 angegebenen Merkmalen in Erwä-
gung zu ziehen.
Die von dem Einsprechenden diskutierte Zusammenschau mit der Entgegenhal-
tung D1 kann ein Naheliegen des Verfahrens ebenfalls nicht begründen. Diese
Druckschrift erwähnt zwar, dass die Schichtendicken zwischen 15 und 1000 nm
liegen (vgl. D1, Beschreibung S. 8, letzter Abs., 1. Satz), jedoch kann auch ihr
nicht entnommen werden, dass zur Lösung des Problems röntgenamorphe Silizi-
umoxinitrid-Schichten abgeschieden werden, indem eine Leistung von größer
10 Watt pro cm
2
Targetfläche für das Sputtern eingesetzt wird.
Anregungen für ein Verfahren mit den im Patentanspruch 15 angegebenen Merk-
malen werden dem Fachmann auch nicht in der Zusammenschau mit D11 gege-
ben. Denn die dort offenbarten Siliziumoxinitrid-Schichten werden zum einen le-
diglich in Schichtdicken von bis zu 120 nm erzeugt und zum anderen werden
keine röntgenamorphen Schichten durch Sputtern mit einer Leistung von größer
10 Watt pro cm
2
erhalten (vgl. D11, Patentansprüche 1 und 10, Beschreibung S. 4,
Z. 1 bis 4, Z. 7 bis 15, S. 5, Z. 17 bis 30).
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Die übrigen dem Senat vorliegenden Druckschriften D2, D4 bis D10 und D12 kön-
nen zur Auffindung der streitpatentgemäßen Lösungen gemäß Patentanspruch 15
ebenfalls nichts beitragen, da sie nur Si(O,N)-Unterschichten für die eigentlichen
Kratzschutzbeschichtungen und Kratzschutzbeschichtungen aus Metalloxiden be-
schreiben oder aber allgemeine Lehren zu Sputterverfahren, Sekundärionen-Mas-
senspektrometrie und Mylar offenbaren.
Der Gegenstand des Patentanspruchs 15 ist daher vom Stand der Technik nicht
nahegelegt.
6.
Die Rüge des Einsprechenden, dass im Prüfungsverfahren zu dem Teilas-
pekt „Sputterverfahren“ nicht im vollem Umfang geprüft wurde, da zu der IPC-
Klasse C23C nicht recherchiert worden sei, führt zu keinem anderen Ergebnis.
Auch wenn sich anhand der Akte nicht nachvollziehen lässt zu welchen Gegen-
ständen recherchiert worden ist, so ist dennoch davon auszugehen, dass dieser
Teilaspekt berücksichtigt wurde, da die im Prüfungsverfahren ermittelte Druck-
schrift DE 101 00 221 A1 als Hauptklasse C23C 14/34 ausweist.
Im Übrigen ist das Einspruchsverfahren nicht als Wiederholung oder Fortsetzung
des Erteilungsverfahrens anzusehen, denn dieses hat durch die Erteilung des
Patents sein Ende gefunden und lebt weder von Amts wegen noch auf Einspruch
wieder auf. Es bleibt allein der Öffentlichkeit vorbehalten nach der Patenterteilung
mittels Einspruch neues Material vorzulegen, das die Patentfähigkeit des erteilten
Gegenstandes in Frage stellen kann (vgl. Schulte/Moufang, Patentgesetz, 9. Aufl.,
§ 59, Rdn. 24 und 25).
7.
Nach alledem weisen der Glasgegenstand nach Patenanspruch 1 des
Streitpatents und dessen Herstellungsverfahren gemäß Patentanspruch 15 alle
Kriterien der Patentfähigkeit auf. Diese Ansprüche sind daher rechtsbeständig.
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Gleiches gilt für den auf die Verwendung des Glasgegenstandes gerichteten Pa-
tentanspruch 19, für den die vorstehenden Ausführungen zum Patentanspruch 1
sinngemäß gelten. Er ist daher mit diesem rechtsbeständig.
8.
Die Ansprüche 2 bis 14 und 16 bis 18 betreffen weitere, über Selbstverständ-
lichkeiten hinausgehende Ausgestaltungen des Glasgegenstandes nach Pa-
tentanspruch 1 und des Verfahrens zu dessen Herstellung nach Anspruch 15. Sie
sind daher mit diesen ebenfalls rechtsbeständig.
III.
Rechtsmittelbelehrung
Gegen diesen Beschluss steht den Verfahrensbeteiligten das Rechtsmittel der
Rechtsbeschwerde zu. Da der Senat die Rechtsbeschwerde nicht zugelassen hat,
ist sie nur statthaft, wenn gerügt wird, dass
1.
das beschließende Gericht nicht vorschriftsmäßig besetzt war,
2.
bei dem Beschluss ein Richter mitgewirkt hat, der von der Ausübung des
Richteramtes kraft Gesetzes ausgeschlossen oder wegen Besorgnis der
Befangenheit mit Erfolg abgelehnt war,
3.
einem Beteiligten das rechtliche Gehör versagt war,
4.
ein Beteiligter im Verfahren nicht nach Vorschrift des Gesetzes vertreten war,
sofern er nicht der Führung des Verfahrens ausdrücklich oder stillschweigend
zugestimmt hat,
5.
der Beschluss aufgrund einer mündlichen Verhandlung ergangen ist, bei der
die Vorschriften über die Öffentlichkeit des Verfahrens verletzt worden sind,
oder
- 20 -
6.
der Beschluss nicht mit Gründen versehen ist.
Die Rechtsbeschwerde muss innerhalb eines Monats nach Zustellung des Be-
schlusses von einer beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwältin oder
von einem beim Bundesgerichtshof zugelassenen Rechtsanwalt beim Bundesge-
richtshof, Herrenstraße 45a, 76133 Karlsruhe, eingereicht werden.
Maksymiw
Schell
Jäger
Wagner
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